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Mosfets equivalentes al BLF278: MRF151G y SD2932

Hace muchos años que se ha venido usando ampliamente el transistor MOSFET BLF278 en los amplificadores de estado sólido de diversas potencias.

A continuación revisaremos un par de opciones que se pueden emplear para remplazar al BLF278 y viceversa, es decir, que si nos encontramos con otros amplificadores de potencia de FM con transistores equivalentes podemos usar al BLF278 en su lugar.

Evidentemente la configuración de terminales debe ser la misma, manejo de potencia, fuente de alimentación del terminal de drenaje (Drain), compatibilidad mecánica y otras que iremos analizando en este artículo.

Empezaremos con una visión general del BLF278, luego revisaremos las principales carcaterísticas del MRF151G y finalmente revisaremos el transistor MOSFET SD2932.

El BLF278 es un MOSFET que puede entregar 300W con una fuente de alimentación típicamente de 50VDC y un consumo de unos 10A con una ganancia promedio en la banda de FM de 20dB (100 veces). Es decir que este transistor necesita de 1W en la entrada para entregar 100W en la salida, por tanto para operar a plena potencia son necesarios 3W en la entrada.

No pasemos por alto que en realidad en la empaquetadura del BLF278 y sus equivalentes existen dos transistores que operan en amplificadores denominados PUSH PULL en inglés o CONTRAFASE en español.

Hoja de datos del MOSFET BLF278: Especificaciones

Descargar Hoja de especificaciones PDF (Data Sheet):Especificaciones del Mosfet BLF278

 


Hoja de datos del MOSFET MRF151G: Especificaciones

Descargar Hoja de especificaciones PDF (Data Sheet):Especificaciones del Mosfet MRF151G

 

Hoja de datos del MOSFET SD2932: Especificaciones
Descargar Hoja de especificaciones PDF (Data Sheet):Especificaciones del Mosfet SD2932

Como podemos observar de las tres hojas de especificaciones anteriores, estos tres Mosfets son equivalentes y es por eso que se usan indistintamente en amplificadores de FM.

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Un transistor bipolar es aquel en que la señal a ser amplificada se alimenta en forma de corriente al elemento de control base. Y constructivamente se halla constituido de elementos de sicilicio del tipo N y P, en otras palabras estos elementos N y P son silicio altamente puro y que luego se le contamina intencionalmente con elementos como el Indio, Galio, etc. para darles la carga negativa y positiva.

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Si vives en Ecuador puedes comprar el MOSFET BLF278 y otros transistores de potencia de radiofrencia (RF) en este enlace.

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Transistor de potencia MOSFET BLF278 (MRF151G, SD2932) : Potencia en FM 300W

El transistor Mosfet BLF278 es usado principalmente en la banda de FM, típicamente esta banda cubre entre 88MHz y 108MHz en América y con unas pequeñas variantes de frecuencia en otros continentes.

Se puede encontrar amplificadores conteniendo un solo transistor BLF278 o en combinaciones de varios transistores. En el primer caso la potencia del amplificador se limita a máximo 300W, mientras que las configuraciones de varios transistores pueden entregar potencias entre 1kW y 2kW (arreglos de 4 a 8 transistores).

Requisitos antes de proceder a cambiar un transistor de potencia

Estos requisistos mínimos deben tomarse en consideración para evitarse la desagradable sorpresa de dañar el MOSFET al momento de remplazarlo, y este descuido evitará perder en un instante un valor que puede oscilar entre USD 200,00 y USD 300,00.

Mosfets equivalentes al BLF278: MRF151G y SD2932

A continuación revisaremos un par de opciones que se pueden emplear para remplazar al BLF278 y viceversa, es decir, que si nos encontramos con otros amplificadores de potencia de FM con transistores equivalentes podemos usar al BLF278 en su lugar.

Medir ó comprobar con un multímetro un Mosfet nuevo o usado

Un MOSFET de potencia presenta por lo general una de las dos siguientes fallas eléctricas:

Entra en cortocircuito, y es tan bajo el ohmiaje que presenta que no es necesario retirarlo del circuito para saber que se encuentra dañado, para ello es necesario desconectar el cable que alimenta la fuente de 50VDC o él fusible de dicho transistor. Esta operación evita que al aplicar el multímetro al transistor MOSFET nos de un falso cortocircuito por entrar a cargar los grandes capacitores de la fuente.

Ajuste de corriente de polarización (bias en inglés)

Un MOSFET debe polarizarse correctamente antes de realizar pruebas en funcionamiento dinámico, la polarización se ajusta de modo que el consumo de corriente lleve a operar al transistor en clase AB.

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